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会議発表プレゼンテーション
Fabrication and characterization of AlGaN p-n diode with n-ZnO as a tunnel junction layer
Kazuo UCHIDA
2021 International Conference on solid-state devices and materials (SSDM)
08/09/2021
メトリック
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1
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タイトル
Fabrication and characterization of AlGaN p-n diode with n-ZnO as a tunnel junction layer
作成者 – 役職なし
Kazuo UCHIDA
会議
2021 International Conference on solid-state devices and materials (SSDM)
ID
991002555842107421
組織
The University of Electro-Communications
言語
英語
資料タイプ
会議発表プレゼンテーション
リソースのサブタイプ
rm_presentations: Oral Presentation
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