Photoluminescence Properties of InAs/InAsSb In-Plane Ultrahigh-Density Quantum-Dot Layer with In-Plane Enenrgy Miniband

会議発表プレゼンテーション

Compound Semiconductor Week 2023 (CSW-2023)

29/05/2023

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タイトル: Photoluminescence Properties of InAs/InAsSb In-Plane Ultrahigh-Density Quantum-Dot Layer with In-Plane Enenrgy Miniband
作成者 – 役職なし: Kouichi YAMAGUCHI
会議: Compound Semiconductor Week 2023 (CSW-2023)
ID: 991002560712307421
組織: The University of Electro-Communications
資料タイプ: 会議発表プレゼンテーション
リソースのサブタイプ: rm_presentations: Poster Presentation