Effects of Electrical Stress on the InGaP/GaAs Heterojunction Phototransistor

Kazuo UCHIDA

doi:10.1109/TDMR.2015.2491338

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Effects of Electrical Stress on the InGaP/GaAs Heterojunction Phototransistor

ジャーナル論文 - rm_published_papers: Scientific Journal

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Effects of Electrical Stress on the InGaP/GaAs Heterojunction Phototransistor

Kazuo UCHIDA

IEEE TRANSACTIONS ON DEVICE AND MATERIALS RELIABILITY, Vol.15(4), ページ604-609

12/2015

DOI: https://doi.org/10.1109/TDMR.2015.2491338

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タイトル: Effects of Electrical Stress on the InGaP/GaAs Heterojunction Phototransistor
作成者 – 役職なし: Kazuo UCHIDA
出版物に関する詳細: IEEE TRANSACTIONS ON DEVICE AND MATERIALS RELIABILITY, Vol.15(4), ページ604-609
ID: 991002548683207421
組織: The University of Electro-Communications
言語: 英語
資料タイプ: ジャーナル論文
リソースのサブタイプ: rm_published_papers: Scientific Journal