Effects of electrical stress on the InGaP/GaAs heterojunction phototransistors

ジャーナル論文 - rm_published_papers: Scientific Journal

査読済み

IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Vol.15(4), ページ1-6

12/2015

ファイルとリンク (1)

url

https://doi.org/10.1109/TDMR.2015.2491338表示

is_downloadable: False

1 レコードビュー

タイトル: Effects of electrical stress on the InGaP/GaAs heterojunction phototransistors
作成者 – 役職なし: Shinji NOZAKI
出版物に関する詳細: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Vol.15(4), ページ1-6
出版者: IEEE
ID: 991002547384407421
組織: The University of Electro-Communications
言語: 英語
資料タイプ: ジャーナル論文
リソースのサブタイプ: rm_published_papers: Scientific Journal