Fabrication and characterization of an AlGaN light emitting diode with Al-doped ZnO as a current spreading tunnel junction layer

ジャーナル論文 - rm_published_papers: Scientific Journal

査読済み

AIP Advances, Vol.13(095324), ページ1-5

09/2023

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タイトル: Fabrication and characterization of an AlGaN light emitting diode with Al-doped ZnO as a current spreading tunnel junction layer
作成者 – 役職なし: Tajiri TAKEYOSHI
出版物に関する詳細: AIP Advances, Vol.13(095324), ページ1-5
出版者: AIP Publishing
ID: 991002560020507421
組織: The University of Electro-Communications
言語: 英語
資料タイプ: ジャーナル論文
リソースのサブタイプ: rm_published_papers: Scientific Journal