Growth and structure of Ni films radio frequency sputter deposited on GaAs(001) covered with Ti film

Hashimoto MITURU

doi:10.1116/1.1388618

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Growth and structure of Ni films radio frequency sputter deposited on GaAs(001) covered with Ti film

ジャーナル論文 - rm_published_papers: Scientific Journal

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Growth and structure of Ni films radio frequency sputter deposited on GaAs(001) covered with Ti film

Hashimoto MITURU

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A-VACUUM SURFACES AND FILMS, Vol.19(5), ページ2494-2498

09/2001

DOI: https://doi.org/10.1116/1.1388618

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is_downloadable: False

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タイトル: Growth and structure of Ni films radio frequency sputter deposited on GaAs(001) covered with Ti film
作成者 – 役職なし: Hashimoto MITURU
出版物に関する詳細: JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A-VACUUM SURFACES AND FILMS, Vol.19(5), ページ2494-2498
ID: 991002546603307421
組織: The University of Electro-Communications
言語: 英語
資料タイプ: ジャーナル論文
リソースのサブタイプ: rm_published_papers: Scientific Journal