Sharp Turn-on Diode by Steep SS “PN-Body Tied SOI FET” for Ultra-low Power RF Energy Harvesting

ジャーナル論文 - rm_published_papers: International Conference Proceedings

2023 7th IEEE Electron Devices Technology & Manufacturing Conference (EDTM)

07/03/2023

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is_downloadable: False

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タイトル: Sharp Turn-on Diode by Steep SS “PN-Body Tied SOI FET” for Ultra-low Power RF Energy Harvesting
作成者 – 役職なし: Koichiro ISHIBASHI
出版物に関する詳細: 2023 7th IEEE Electron Devices Technology & Manufacturing Conference (EDTM)
出版者: IEEE
ID: 991002550534207421
組織: The University of Electro-Communications
資料タイプ: ジャーナル論文
リソースのサブタイプ: rm_published_papers: International Conference Proceedings